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FRAM, 256 Kb (32 K x 8), 2,7 5,5 V, SO-8 FRAM, 256 Kb (32 K x 8), 2,7 5,5 V, SO-8
Auf Lager SKU FM25W256-G

FRAM, 256 Kb (32 K x 8), 2,7 5,5 V, SO-8

MPN FM25W256-G Hersteller CYPRESS
8,74 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell FRAM
Typ seriell
Bauform SO-8
Speicher 256 kb (32l x8)
Elektrische Werte
Versorgungsspannung 2,7-5,5 VDC
Frequenz 20 MHz
Sonstiges
Temperaturbereich -40..+85 °C
Herstellerangaben
Hersteller CYPRESS
Artikelnummer des Herstellers FM25W256-G
Verpackungsgewicht 1.0E-4 kg
RoHS konform
EAN/GTIN 9900003139183
Statistische Warennummer 85423290
↓ Datenblatt

Ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM

Der FM25W256 ist ein nichtflüchtiger 256-Kbit-Speicher, der mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher Speicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM. Er bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme, die durch seriellen Flash, EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher.

Merkmale
- Direkter Hardware-Ersatz für serielle SPI-EEPROMs oder SPI-Flash
- Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
- bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
- 100 Billionen (10^14) Schreib-/Lesezyklen
- Low Power Betrieb: 250 µA Active Current (1 MHz)

Sicherheitsinformationen

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
[email protected]
https://www.reichelt.de

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