High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-32

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns TSOP-II mit ECC

Beschreibung:
Das ISSI IS61/64WV1288EEBLL ist ein statisches Hochgeschwindigkeits-RAM mit 1.048.576 Bit, das als 131.072 Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Er wird unter Verwendung der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser hochzuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61/64WV1288EEBLL ist im JEDEC-Standard-Gehäuse mit 32-poligem SOJ, TSOP-II, sTSOP-I und 48-Kugel-BGA (6mmx8mm) untergebracht.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)
- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby
- Einzelne Stromversorgung
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil
- Bleifrei verfügbar
- Fehlererkennung und Fehlerkorrektur