High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)

Beschreibung:
Die ISSI IS61WV5128Bxx sind sehr schnelle statische 8-Bit-CMOS-RAMs mit 524.288 Wörtern und niedrigem Stromverbrauch. Die IS61/64WV5128Bxx werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu einer höheren Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Die IS61/64WV5128Bxx arbeiten mit einer einzigen Stromversorgung. Die IS61/64WV5128BLL sind in 36-poligen 400-mil SOJ- und 44-poligen TSOP-Gehäusen (Typ II) erhältlich.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)
- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby
- Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil
- Bleifrei verfügbar