8-Mbit (1 M × 8) Static RAM, SRAM LLPow as 5V 1Mx8 45ns TSOP44(II)
Beschreibung
Das CY62158E MoBL® ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 1024K Wörter mit 8 Bit organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen aktiven Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt außerdem über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch bei Abwahl (CE1 HIGH oder CE2 LOW) erheblich. Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und Write Enable (WE) Eingang LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A19) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enables (CE1 LOW und CE2 HIGH) und OE LOW, während Sie das WE HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE1 HIGH oder CE2 LOW), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder ein Schreibvorgang läuft (CE1 LOW und CE2 HIGH und WE LOW). Eine vollständige Beschreibung der Lese- und Schreibmodi finden Sie in der Wahrheitstabelle auf Seite 11. Der Baustein CY62158E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen.
Merkmale
- Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
- Großer Spannungsbereich: 4,5 V-5,5 V
- Ultra-niedrige Wirkleistung
- Typischer Wirkstrom: 1,8 mA bei f = 1 MHz
- Typischer Wirkstrom: 18 mA bei f = fmax
- Extrem niedrige Standby-Leistung
- Typischer Standby-Strom: 2 A
- Maximaler Standby-Strom: 8 A
- Einfache Speichererweiterung mit CE1, CE2 und OE-Funktionen
- Automatisches Ausschalten bei Abwahl
- CMOS für optimale Geschwindigkeit und Leistung
- Wird im Pb-freien 44-poligen TSOP II-Paket angeboten
Auf Lager
SKU CY62158ELL-45ZSX
SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44
MPN CY62158ELL-45ZSXI
Hersteller CYPRESS
11,96 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell
SRAM
Typ
Low Power
Ausführung
asynchron
Speicher
8 Mb (1 M x 8)
Bauform
TSOP-44
Elektrische Werte
Zugriffszeit
45 ns
Versorgungsspannung
5,0 VDC
Sonstiges
Temperaturbereich
0 ... +70 °C
Ausführung
Word Size
8 bit
Herstellerangaben
Hersteller
CYPRESS
Artikelnummer des Herstellers
CY62158ELL-45ZSXI
Verpackungsgewicht
0.001 kg
RoHS
konform
EAN/GTIN
9900001465574
Statistische Warennummer
85423245
Sicherheitsinformationen
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
[email protected]
https://www.reichelt.de
11,96 €
999 auf Lager
Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
✓ Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
✓ Rechnung mit ausgewiesener MwSt.
✓ 30 Tage Rückgaberecht