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EEPROM, 1 Mb (128 K x 8), SPI, 20 MHz, 2,5 ... 5,5 V, SO-8-208 EEPROM, 1 Mb (128 K x 8), SPI, 20 MHz, 2,5 ... 5,5 V, SO-8-208
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EEPROM, 1 Mb (128 K x 8), SPI, 20 MHz, 2,5 ... 5,5 V, SO-8-208

MPN 25LC1024-I/SM Hersteller MICROCHIP
3,43 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell EEPROM
Typ seriell
Ausführung SPI
Speicher 1 Mb (128kx8)
Bauform SOIC-8
Elektrische Werte
Versorgungsspannung 2,5 ... 5,5 VDC
Frequenz 20 MHz
Sonstiges
Temperaturbereich -40 ... +85 °C
Besonderheiten
Schreibschutz ja
Angaben zur Energieeffizienz
Lebensdauer 1.000.000 E/W Cycles h
Ausführung
Page Size 256 Bytes
Word Size 8 bit
Cascade 5
Write Cycle 5 ms
Herstellerangaben
Hersteller MICROCHIP
Artikelnummer des Herstellers 25LC1024-I/SM
Verpackungsgewicht 0.001 kg
RoHS konform
EAN/GTIN 9900000966720
Statistische Warennummer 85423275
↓ Datenblatt MIC

1Mb 2,5V SPI Serielles EEPROM

BESCHREIBUNG
Der 25LC1024 von Microchip Technology Inc. ist ein serieller 1024-Kbit-EEPROM-Speicher mit seriellen EEPROM-Funktionen auf Byte- und Seitenebene. Er verfügt auch über Seiten-, Sektor- und Chip-Löschfunktionen, die typischerweise mit Flash-basierten Produkten verbunden sind. Diese Funktionen sind für Byte- oder Seitenschreiboperationen nicht erforderlich. Der Zugriff auf den Speicher erfolgt über einen einfachen SPI-kompatiblen (Serial Peripheral Interface) seriellen Bus. Die erforderlichen Bussignale sind ein Takteingang (SCK) sowie separate Dateneingangs- (SI) und Datenausgangsleitungen (SO). Der Zugriff auf das Gerät wird über einen Chip-Select (CS)-Eingang gesteuert. Die Kommunikation mit dem Gerät kann über den Haltestift (HOLD) angehalten werden. Während das Gerät angehalten wird, werden Übergänge an seinen Eingängen ignoriert, mit Ausnahme von Chip Select, so dass der Host Interrupts mit höherer Priorität bedienen kann. Der 25LC1024 ist in Standardgehäusen einschließlich 8-poligem PDIP und SOIJ sowie in einem fortschrittlichen 8-poligen DFN-Gehäuse erhältlich. Alle Geräte sind Pb-frei.

Merkmale:
- Max. Takt 20 MHz
- Schreiboperationen auf Byte- und Seitenebene:
- 256-Byte-Seite
- 6 ms max. Schreibzykluszeit
- Kein Löschen von Seiten oder Sektoren erforderlich
- Leistungsarme CMOS-Technologie:
- Max. Schreibstrom: 5 mA bei 5,5V, 20 MHz
- Lesestrom: 7 mA bei 5,5 V, 20 MHz
- Standby-Strom: 1µA bei 2,5V (Tiefes Abschalten)
- Elektronische Signatur für Geräte-ID
- Selbstgesteuerte Lösch- und Schreibzyklen:
- Löschen von Seiten (max. 6 ms)
- Sektor-Löschen (max. 10 ms)
- Chip-Löschen (max. 10 ms)
- Blockschreibschutz (32K Byte/Sektor): - Schützt keinen, 1/4, 1/2 oder das gesamte Array
- Eingebauter Schreibschutz:
- Ein-/Ausschalt-Datenschutzschaltung
- Schreibfreigabe-Verriegelung
- Schreibschutzstift
- Hohe Verlässlichkeit:
- Ausdauer: 1.000.000 Lösch-/Schreibzyklen
- Datenspeicherung: >200 Jahre
- ESD-Schutz: >4000V
- Unterstützte Temperaturbereiche:
- Industriell (I): -40°C bis +85°C
- Automobilindustrie (E): -40°C bis +125°C
- Pb-frei und RoHS-konform

Sicherheitsinformationen

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
[email protected]
https://www.reichelt.de

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