FRAM, par, 2,7V, 8kx8, 70ns, SOL-28

64-Kbit (8 K × 8) Wide Voltage BytewideF-RAM Memory
- Ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
- Nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
- JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
- Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
- bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
- 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
- 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
- Low Power Operation: 12mA Active Current
- Versorgungsspannung 2,7...5,5V
- Temperaturbereich -40...+85°C

Der FM16W08 ist ein nichtflüchtiger 8 K × 8-Speicher, der wie ein Standard-SRAM gelesen und ähnlich wie ein Standard-SRAM liest und schreibt. Ein ferroelektrischer Direktzugriff oder F-RAM ist nichtflüchtig, was bedeutet, dass die Daten auch nach dem Abschalten der Stromversorgung erhalten bleiben. Er bietet eine Datenspeicherung von
über 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Probleme der Zuverlässigkeit, funktionalen Nachteile und die Komplexität des Systemdesigns von batteriegestütztem SRAM (BBSRAM). Schnelle Schreibzeiten und hohe Schreibausdauer machen den F-RAM anderen Speichertypen überlegen. Speicher.
Die Funktionsweise des FM16W08 ähnelt der anderer RAM-Bausteine und kann daher als Ersatz für einen Standard-SRAM in einem System verwendet Standard-SRAM in einem System verwendet werden. Die minimalen Lese- und Schreibzykluszeiten sind gleich. Der F-RAM-Speicher ist nicht flüchtig aufgrund seines einzigartigen ferroelektrischen Speicherprozesses. Diese Eigenschaften machen den FM16W08 ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder schnelle Schreibvorgänge erfordern.