GaN H-Brücke, 600 V, 10 A, RDS(ON) 0,15 Ohm, QFN-31

Der MASTERGAN1 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben einen RDS(on) von 150 mΩ und eine Drain-Source-Durchbruchsspannung von 650 V, während die hohe Seite des eingebetteten Gate-Treibers einfach durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Der MASTERGAN1 verfügt sowohl im unteren als auch im oberen Treiberbereich über einen UVLO-Schutz, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querschlüsse.

Technische Merkmale