GaN H-Brücke, 600 V, 10/6,5 A, 0,15/0,225 Ohm,QFN-31

Der MASTERGAN2 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei GaN-Transistoren (Anreicherungstyp) in Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 150 mOhm bzw. 225 mOhm für die Low- bzw. High-Seite, während die High-Seite des integrierten Gate-Treibers problemlos durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Der MASTERGAN2 verfügt sowohl im unteren als auch im oberen Treiberbereich über einen UVLO-Schutz, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querschlüsse.

Technische Merkmale