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GaN H-Brücke, 600 V, 4 A, 0,225 Ohm ,QFN-31 GaN H-Brücke, 600 V, 4 A, 0,225 Ohm ,QFN-31
Auf Lager SKU MASTERGAN4

GaN H-Brücke, 600 V, 4 A, 0,225 Ohm ,QFN-31

MPN MASTERGAN4 Hersteller STMICROELECTRONICS
10,67 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell Gate-Treiber
Typ HEMT
Ausführung H-Brücke
Bauform QFN-31
Ausgang 3x
Technologie GaN
Elektrische Werte
Versorgungsspannung 4,75-9,5 VDC
Eingangsspannung 3,3-15 VDC
Ausgangsstrom 6,5 A
RDS(on) 225 mOhm
Sonstiges
Temperaturbereich -40 .. +125 °C
Herstellerangaben
Hersteller STMICROELECTRONICS
Artikelnummer des Herstellers MASTERGAN4
Verpackungsgewicht 0.005 kg
RoHS konform
EAN/GTIN 9900003166417
Statistische Warennummer 85423190
↓ Datenblatt

Der MASTERGAN4 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei Enhancement-Mode-GaN-Leistungstransistoren in Halbbrücken
Konfiguration. Die integrierten Leistungs-GaNs haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 225 mOhm, während die hohe Seite des integrierten Gate-Treibers
durch die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Der MASTERGAN4 verfügt über einen UVLO-Schutz sowohl für den unteren als auch den oberen der unteren und oberen Treibersektion, um zu verhindern, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder gefährlichen Bedingungen arbeiten, und die Verriegelungsfunktion vermeidet Querschlüsse.

Technische Daten

Sicherheitsinformationen

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
STMicroelectronics GmbH
Bahnhofstraße 18
85609 Aschheim, DE
[email protected]
https://www.st.com

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