Der MASTERGAN3 ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das einen Gate-Treiber und zwei Enhancement-Mode-GaN-Transistoren in asymmetrischer Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten GaN-Leistungstransistoren haben eine Drain-Source-Sperrspannung von 650 V und einen RDS(ON) von 225 mOhm bzw. 450 mOhm für die Low- bzw. High-Seite, wobei die High-Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann, wobei die High-Seite des eingebetteten Gate-Treibers problemlos von der integrierten Bootstrap-Diode versorgt werden kann.
Der MASTERGAN3 verfügt über einen UVLO-Schutz sowohl für den unteren als auch für den oberen Treiberbereich, der verhindert, dass die Leistungsschalter bei niedrigem Wirkungsgrad oder unter gefährlichen Bedingungen betrieben werden, und die Verriegelungsfunktion verhindert Querschlüsse.
Technische Merkmale
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SKU MASTERGAN3
GaN H-Brücke, 600 V, 6,5/4 A, 0,225/0,45 Ohm ,QFN-31
MPN MASTERGAN3
Hersteller STMICROELECTRONICS
11,24 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell
Gate-Treiber
Typ
HEMT
Ausführung
H-Brücke
Bauform
QFN-31
Ausgang
2x
Technologie
GaN
Elektrische Werte
Versorgungsspannung
4,75-9,5 VDC
Eingangsspannung
3,3-15 VDC
Ausgangsstrom
6,5/4 A
RDS(on)
225/450 mOhm
Sonstiges
Temperaturbereich
-40 .. +125 °C
Herstellerangaben
Hersteller
STMICROELECTRONICS
Artikelnummer des Herstellers
MASTERGAN3
Verpackungsgewicht
0.001 kg
RoHS
konform
EAN/GTIN
9900003166400
Statistische Warennummer
85423190
Sicherheitsinformationen
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
STMicroelectronics GmbH
Bahnhofstraße 18
85609 Aschheim, DE
[email protected]
https://www.st.com
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