High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 3,3 V, 10ns, SOJ-32

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 128kx8 10ns SOJ-32

Funktionale Beschreibung
Der CY7C1019DV33 ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 131.072 Wörter zu 8 Bit organisiert ist. Eine einfache Speichererweiterung wird durch eine aktive LOW-Chip-Freigabe (CE), eine aktive LOW-Ausgangsfreigabe (OE) und Treiber mit drei Zuständen ermöglicht. Dieser Baustein verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die bei Abwahl den Stromverbrauch erheblich reduziert. Das Schreiben in den Baustein erfolgt über die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A16) angegebene Stelle geschrieben. Das Lesen aus dem Gerät erfolgt, indem Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW genommen werden, während Write Enable (WE) HIGH erzwungen wird. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den I/O-Pins. Die acht Eingangs-/Ausgangs-Pins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt wird (CE HIGH), die Ausgänge deaktiviert werden (OE HIGH) oder während eines Schreibvorgangs (CE LOW, und WE LOW).Der CY7C1019DV33 ist in Pb-freiem, 32-poligem, 400 Mil breitem, vergossenem SOJ-Gehäuse, erhältlich.

Merkmale
- Pin- und funktionskompatibel mit CY7C1019CV33
- Hohe Geschwindigkeit: taa = 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: Icc = 60 mA @ 10 ns
- Niedrige CMOS-Standby-Leistung: Isb2 = 3 mA
- 2,0 V Datenspeicherung
- Automatische Abschaltung bei Abwahl
- CMOS für optimale Geschwindigkeit/Leistung
- Zentrale Stromversorgung/Massebelegung
- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
- Erhältlich in Pb-freien, 32-poligen, 400 Mil breiten, geformten SOJ-Gehäusen