High-Speed SRAM, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, 12ns, TSOP-32

High-Speed CMOS Static RAM 5V 128kx8 12ns TSOP32(I)

Beschreibung:
Die ISSI IS61C1024AL/IS64C1024AL ist ein statisches 8-Bit-CMOS-RAM mit 131.072 Worten bei sehr hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu höherer Leistung und Geräten mit niedrigem Stromverbrauch. Wenn CE1 auf HIGH oder CE2 auf LOW (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung durch die Verwendung von CMOS-Eingangspegeln reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von zwei Chip-Enable-Eingängen, CE1 und CE2, möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Der IS61C1024AL/IS64C1024AL ist in 32-poligen 300-mil SOJ-, 32-poligen 400-mil SOJ-, 32-poligen TSOP- (Typ I, 8x20) und 32-poligen sTSOP- (Typ I, 8 x 13,4) Gehäusen erhältlich.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12, 15 ns
- Niedrige Aktivleistung: 160 mW (typisch)
- Geringe Standby-Leistung: 1000 µW (typisch) CMOS standby
- Ausgangsfreigabe (OE) und Zwei-Chip-Freigabe (CE1 und CE2) Eingänge zur Erleichterung der Anwendung
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung
- Kommerzielle, industrielle und automobile Temperaturbereiche verfügbar
- Bleifrei verfügbar