High-Speed SRAM, 1 Mb (64 K x 16), 5 V, 12ns, TSOP-44

High-Speed CMOS Static RAM 5V 64kx16 12ns TSOP44(II)

Beschreibung:
Die ISSI IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 1.048.576 Bit, die als 65.536 Wörter mit 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieses äußerst zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip-Enable- und Output-Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Die aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL und IS65C6416AL sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.

Merkmale:
- IS61C6416AL und IS64C6416AL
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 12 ns, 15ns
- Niedrige Wirkleistung: 175 mW (typisch)
- Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typisch) CMOS-Standby
- IS62C6416AL und IS65C6416AL
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 35 ns, 45ns
- Niedrige Wirkleistung: 50 mW (typisch)
- Geringe Standby-Leistung: 100 µW (typisch) CMOS-Standby
- TTL-kompatible Schnittstellenpegel
- Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- Verfügbar im 44-poligen SOJ- und TSOP (Typ II)
- Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperatur verfügbare Bereiche
- Bleifrei verfügbar