High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 256kx16 10ns TSOP44(II)

Beschreibung:
Bei den ISSI IS61WV25616Axx/Bxx handelt es sich um statische 4.194.304-Bit-Hochgeschwindigkeits-RAMs, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken führt zu hochleistungsfähigen Bauelementen mit geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61WV6416DAxx/DBxx werden im JEDEC-Standardgehäuse mit 44-poligem TSOP Typ II, 44-poligem 400-mil SOJ und 48-poligem Mini-BGA (6mm x 8mm) gefertigt.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: 85 mW (typisch)
- Niedrige Standby-Leistung: 7 mW (typisch) CMOS-Standby
- Einzel-Stromversorgung Vdd 2,4V bis 3,6V
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- Drei Zustandsausgänge
- Temperaturunterstützung für Industrie und Automobil
- Bleifrei verfügbar
- Datenkontrolle für obere und untere Bytes