High-Speed SRAM, 4 Mb (256 K x 16), 5 V, 10ns, TSOP-44

High-Speed CMOS Static RAM 5V 256kx16 10ns TSOP44(II)

Beschreibung:
Die ISSI IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 262.144 Worte mal 16 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C25616AL/AS und IS64C25616AL/AS sind in den JEDEC-Standards 44-poliger 400-mil SOJ und 44-poliger TSOP (Typ II) verpackt.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)
- Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung
- Verfügbar im 44-poligen SOJ-Gehäuse und 44-poliger TSOP (Typ II)
- Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar
- Bleifrei verfügbar