High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 3,3 V, 10ns, TSOP-44

Statisches Hochgeschwindigkeits-CMOS-RAM 3,3V 512kx8 10ns TSOP44(II)

Funktionale Beschreibung
CY7C1049GN ist ein hochleistungsfähiger, schneller statischer CMOS-RAM-Baustein, der in 512K Worten zu 8 Bits organisiert ist. Das Schreiben von Daten erfolgt durch die Aktivierung der Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) auf LOW, während die Daten auf den Pins I/O0 bis I/O7 und die Adresse auf den Pins A0 bis A18 bereitgestellt werden. Daten werden gelesen, indem die Chip Enable (CE)- und Output Enable (OE)-Eingänge LOW gesetzt werden und die erforderliche Adresse auf den Adressleitungen bereitgestellt wird. Auf die gelesenen Daten kann über die I/O-Leitungen (I/O0 bis I/O7) zugegriffen werden. Alle E/As (E/A0 bis E/A7) werden während der folgenden Ereignisse in einen hochohmigen Zustand versetzt:
- Das Gerät wird abgewählt (CE HIGH)
- Das Steuersignal OE wird deaktiviert.

Merkmale
- Hohe Geschwindigkeit: tAA = 10 ns
- Niedrige Wirk- und Ruheströme
- Wirkstrom: Icc = 38-mA typisch
- Standby-Strom: Isb2 = 6-mA typisch
- Betriebsspannungsbereich: 2,2 V bis 3,6 V
- 1.0-V-Datenspeicherung
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Pb-freie 44-polige TSOP II