High-Speed SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 10ns, SO-36J

High-Speed CMOS Static RAM 5V 512kx8 10ns SOJ-36

Beschreibung:
Die ISSI IS61C5128AL/AS und IS64C5128AL/AS sind statische Hochgeschwindigkeits-RAMs mit 4.194.304 Bit, die als 524.288 Worte mal 8 Bit organisiert sind. Sie werden mit der Hochleistungs-CMOS-Technologie von ISSI hergestellt. Dieser äußerst zuverlässige Prozess in Verbindung mit innovativen Schaltungstechniken ermöglicht Zugriffszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch. Wenn CE auf HIGH (abgewählt) steht, geht das Gerät in einen Standby-Modus über, in dem die Verlustleistung mit CMOS-Eingangspegeln nach unten reduziert werden kann. Eine einfache Speichererweiterung ist durch die Verwendung von Chip Enable- und Output Enable-Eingängen, CE und OE möglich. Der aktive LOW Write Enable (WE) steuert sowohl das Schreiben als auch das Lesen des Speichers. Ein Datenbyte ermöglicht den Zugriff auf Upper Byte (UB) und Lower Byte (LB). Die IS61C5128AL/AS sind in den JEDEC-Standard-Gehäusen 36-Pin SOJ (400-mil), 32-Pin sTSOP-I, 32-Pin SOP, 44-Pin TSOP-II und 32-Pin TSOP-II untergebracht.

Merkmale:
- Hochgeschwindigkeits-Zugriffszeit: 10 ns
- Niedrige Wirkleistung: 150 mW (typisch)
- Geringe Standby-Leistung: 10 mW (typisch) CMOS-Standby
- Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Auffrischung erforderlich
- TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- Einzelne 5V (±10%) Stromversorgung
- Erhältlich in einem 36-poligen SOJ (400-mil)-Gehäuse und einem 44-poligen TSOP (Typ II)
- Kommerzielle, industrielle und Automobil-Temperaturbereiche verfügbar
- Bleifrei verfügbar