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Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, DIP-32 Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, DIP-32
Auf Lager SKU 39SF01070-4C-P

Multi-NOR-Flash-Speicher, 1 Mb (128 K x 8), 5 V, DIP-32

MPN SST39SF010A-70-4C-PHE Hersteller MICROCHIP
6,15 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell NOR-Flash
Typ parallel
Speicher 1 Mb (128kx8)
Ausführung Multi-Purpose
Bauform DIP-32
Elektrische Werte
Versorgungsspannung 5,0 VDC
Zugriffszeit 70 ns
Sonstiges
Temperaturbereich 0..+70 °C
Besonderheiten
Schreibschutz ja
Angaben zur Energieeffizienz
Lebensdauer 100.000 h
Herstellerangaben
Hersteller MICROCHIP
Artikelnummer des Herstellers SST39SF010A-70-4C-PHE
Verpackungsgewicht 0.005 kg
RoHS konform
EAN/GTIN 9900002663931
Statistische Warennummer 85423261
↓ Datenblatt

Beschreibung:

Bei dem SST39SF010A / 020A / 040 handelt es sich um CMOS-Mehrzweckblitz (MPF), der mit der proprietären Hochleistungs-CMOS-SuperFlash-Technologie von SST hergestellt wird. Das Split-Gate-Zellendesign und der Dickoxid-Tunnelinjektor erzielen im Vergleich zu alternativen Ansätzen eine bessere Zuverlässigkeit und Herstellbarkeit. Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte schreiben (programmieren oder löschen) mit einer 4,5-5,5-V-Stromversorgung.
Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte entsprechen den JEDEC-Standard-Pinbelegungen für x8-Speicher.
Die SST39SF010A / 020A / 040-Geräte bieten ein leistungsstarkes Byte-Programm und eine maximale Byte-Programm-Zeit von 20 µs.
Diese Geräte verwenden Toggle Bit oder Data # Polling, um den Abschluss des Programmiervorgangs anzuzeigen.
Zum Schutz vor versehentlichem Schreiben verfügen sie über integrierte Hardware- und Softwaredatenschutzschemata.
Diese Geräte wurden für ein breites Anwendungsspektrum entwickelt, hergestellt und getestet und bieten eine garantierte typische Lebensdauer von 100.000 Zyklen.
Die Vorratsdatenspeicherung wird auf mehr als 100 Jahre veranschlagt.

Eigenschaften
- Organisiert als 128K x8 / 256K x8 / 512K x8

- Einzelne 4.5-5.5V Lese- und Schreibvorgänge

- Überlegene Zuverlässigkeit
- Lebensdauer: 100.000 Zyklen (typisch)
- Mehr als 100 Jahre Vorratsdatenspeicherung

- Geringer Stromverbrauch (typische Werte bei 14 MHz)
- Wirkstrom: 10 mA (typisch)
- Standby-Strom: 30 µA (typisch)

- Sektorlöschfunktionalität
- Einheitliche 4 KByte Sektoren

- Schnelle Lesezugriffszeit:
- 70 ns

- Gespeicherte Adresse und Daten

- Automatisches Schreib-Timing
- Interne VPP-Generierung

- Schnelles Löschen und Byte-Programm
- Sektor-Löschzeit: 18 ms (typisch)
- Chip-Erase-Zeit: 70 ms (typisch)
- Byte-Programmierzeit: 14 µs (typisch)
- Chip-Rewrite-Zeit:
2 Sekunden (typisch) für SST39SF010A
4 Sekunden (typisch) für SST39SF020A
8 Sekunden (typisch) für SST39SF040

- Erkennung des Schreib-Ende
- Toggle Bit
- Datenabfrage

- TTL I/O-Kompatibilität

- JEDEC-Standard
- Flash EEPROM Pinbelegung und Befehlssätze

- Verfügbare Gehäuse
- PLCC mit 32 Anschlüssen
- TSOP mit 32 Anschlüssen (8 mm x 14 mm)
- 32-poliges PDIP

- Alle Bauteile sind RoHS-konform

Bei Bedarf liefern wir auch komplette Verpackungseinheiten, unsere Angebotsabteilung berät Sie gerne!

Sicherheitsinformationen

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
[email protected]
https://www.reichelt.de

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