NVRAM, SRAM, 256 Kb (32 K x 8), 70 ns, 4,75 ... 5,5 V, DIL-28

M48Z35 / M48Z35Y
256 Kbit (32 Kbit x 8) ZEROPOWER® SRAM

Beschreibung
Der M48Z35/Y ZEROPOWER®RAM ist ein 32 K x 8, nichtflüchtiges statisches RAM, das eine Power-Fail-Deselect-Schaltung und eine Batteriesteuerlogik auf einem einzigen Chip integriert. Der monolithische Chip ist in zwei speziellen Gehäusen erhältlich, um eine hochintegrierte batteriegepufferte Speicherlösung zu bieten. Der M48Z35/Y ist ein nichtflüchtiger Pin und in seiner Funktion äquivalent zu jedem JEDEC-Standard 32 K x 8 SRAM. Er passt außerdem problemlos in viele ROM-, EPROM- und EEPROM-Sockel und bietet die Nichtflüchtigkeit von PROMs, ohne dass ein spezielles WRITE-Timing oder Einschränkungen bei der Anzahl der durchführbaren WRITEs erforderlich sind. Der 28-polige 600 mil DIP CAPHAT™ beherbergt das M48Z35/Y Silizium mit einer langlebigen Lithium-Knopfzelle in einem einzigen Gehäuse.

Merkmale:
- Integriertes SRAM mit extrem niedrigem Stromverbrauch, Stromausfallkontrollschaltung und Batterie
- READ-Zykluszeit ist gleich WRITE-Zykluszeit
- Automatische Power-Fail-Chip-Abwahl und WRITE-Schutz
- WRITE-Schutzspannungen: (VPFD = power-fail deselect voltage)
- M48Z35: VCC = 4,75 bis 5,5 V; 4,5 V = VPFD = 4,75 V
- M48Z35Y: VCC = 4,5 bis 5,5 V; 4,2 V = VPFD = 4,5 V
- Eigenständige Batterie im CAPHAT™ DIP-Gehäuse
- Gehäuse umfasst ein 28-poliges SOIC und SNAPHAT® Top (separat zu bestellen)
- Pin- und funktionskompatibel mit JEDEC-Standard 32 K x 8 SRAMs
- RoHS-konform - Bleifreies Second Level Interconnect