4-Mbit (512 K × 8) Static RAM, LLPow as 5V 512kx8 55ns SOP32
Beschreibung:
Der CY62148E ist ein hochleistungsfähiges statisches CMOS-RAM, das als 512 K-Worte mit 8 Bits organisiert ist. Dieses Bauelement zeichnet sich durch ein fortschrittliches Schaltungsdesign aus, das einen extrem niedrigen Standby-Strom liefert. Dies ist ideal für die Bereitstellung von More Battery Life™ (MoBL) in tragbaren Anwendungen. Das Gerät verfügt auch über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch erheblich reduziert, wenn die Adressen nicht umschalten. Wenn das Gerät in den Standby-Modus versetzt wird, verringert sich der Stromverbrauch um mehr als 99%, wenn es abgewählt wird (CE HIGH). Die acht Eingangs- und Ausgangspins (I/O0 bis I/O7) werden in einen hochohmigen Zustand versetzt, wenn der Baustein abgewählt (CE HIGH), Ausgänge deaktiviert (OE HIGH) oder während eines aktiven Schreibvorgangs (CE LOW und WE LOW). Um auf das Gerät zu schreiben, nehmen Sie die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW. Die Daten auf den acht I/O-Pins (I/O0 bis I/O7) werden dann an die auf den Adresspins (A0 bis A18) angegebene Stelle geschrieben. Um aus dem Gerät zu lesen, nehmen Sie Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW, während Sie Write Enable (WE) HIGH erzwingen. Unter diesen Bedingungen erscheint der Inhalt der durch die Adresspins spezifizierten Speicherstelle auf den E/A-Pins. Der Baustein CY62148E eignet sich für den Anschluss von Prozessoren mit TTL-I/P-Pegeln. Er ist nicht für Prozessoren geeignet, die CMOS I/P-Level benötigen.
Merkmale:
- Sehr hohe Geschwindigkeit: 55 ns
- Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V
- Pin kompatibel mit CY62148B
- Extrem niedrige Standby-Leistung
- Typischer Bereitschaftsstrom: 1 µA
- Maximaler Standby-Strom: 7 µA (Industrie)
- Ultra-niedrige Wirkleistung
- Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
- Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
- Automatische Abschaltung bei Abwahl
- Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
- Verfügbar im Pb-freien 32-Pin Thin Small Outline Package (TSOP) II und 32-polige SOIC-Gehäuse (Small-Outline Integrated Circuit)[1]
Auf Lager
SKU CY62148ELL-55SX
SRAM, 4 Mb (512 K x 8), 5 V, 55ns, SOP-32
MPN CY62148ELL-55SXI
Hersteller CYPRESS
5,46 €
Technische Daten
Allgemeines
Modell
SRAM
Typ
Low Power
Ausführung
asynchron
Speicher
4 Mb (512kx8)
Bauform
SO-32
Elektrische Werte
Zugriffszeit
55 ns
Versorgungsspannung
5,0 VDC
Sonstiges
Temperaturbereich
0 ... +70 °C
Ausführung
Word Size
8 bit
Herstellerangaben
Hersteller
CYPRESS
Artikelnummer des Herstellers
CY62148ELL-55SXI
Verpackungsgewicht
0.002 kg
RoHS
konform
EAN/GTIN
9900001465567
Statistische Warennummer
85423245
Sicherheitsinformationen
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
reichelt elektronik GmbH
Elektronikring 1
26452 Sande, DE
[email protected]
https://www.reichelt.de
5,46 €
999 auf Lager
Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
✓ Versand heute bei Bestellung bis 16 Uhr
✓ Rechnung mit ausgewiesener MwSt.
✓ 30 Tage Rückgaberecht